- 二极管特性分析
  - PN结基础
    - 单向导通特性
    - 正向偏置导通，反向偏置截止
    - 重偏与反偏状态
  - 二极管材料
    - 硅材料
    - 锗材料
    - 其他化合物材料
  - 二极管分类
    - 普通二极管
    - 整流二极管
    - 发光二极管
    - 稳压二极管
    - 光电二极管
  - 二极管符号与结构
    - 图形符号：三角形加横线
    - 阳极与阴极定义
    - 正向电压导通，反向电压截止
  - 伏安特性曲线
    - 电压与电流关系
    - 正向特性
      - 死区：内建电场阻挡电流
      - 门槛电压：硅材料约0.5V
      - 正向导通压降：硅材料约0.7V
    - 反向特性
      - 反向饱和电流：数值小且稳定
      - 反向击穿特性：高反向电压下电流剧增
  - 温度对二极管的影响
    - 正向特性随温度升高左移
    - 反向特性随温度升高下移
    - 负温度系数现象
  - 实验验证
    - 发光二极管正向导通压降较大
    - 不同电压下的发光状态
      - 0.4V至1.2V：无电流，不发光
      - 1.6V：微亮，电流0.073mA
      - 2V：亮度增加，电流0.68mA
      - 3V：亮度显著增强