- 半导体二极管
  - 课程内容概述
    - 模拟电子技术与数字电子技术结合
    - 培养读图能力与电子线路分析能力
    - 专业核心课程
  - 学习半导体二极管的原因
    - 生活中常见应用
      - 充电器指示灯（发光二极管）
      - 整流电路中的二极管
  - 学习重点
    - PN结的形成过程
    - 二极管的单向导通特性
    - 伏安特性
  - PN结的形成
    - P型半导体与N型半导体结合
      - P型多子为空穴，N型多子为电子
      - 浓度差引发扩散运动
    - 扩散运动与复合现象
      - 形成空间电荷区
      - 内电场方向从N区指向P区
    - 动态平衡
      - 漂移运动与扩散运动平衡
      - 稳定内电场形成PN结
  - PN结的单向导通特性
    - 外加正向电压
      - 外电场抵消内电场
      - 空间电荷区变窄，形成正向电流
    - 外加反向电压
      - 外电场与内电场方向相同
      - 阻止扩散运动，空间电荷区变宽
      - 反向电流微弱，视为截止状态
  - 死区电压
    - 内电场克服条件
      - 外电场需大于内电场
      - 硅二极管死区电压约为0.5V或0.7V
      - 锗二极管死区电压约为0.1V
  - 反向击穿特性
    - 反向电压超过击穿电压
      - 二极管被击穿导通
      - 反向电流急剧增大
  - 伏安特性
    - 硅二极管与锗二极管的区别
      - 导通压降不同
      - 死区电压范围不同
  - 例题分析
    - 理想模型与恒压降模型
      - 理想模型忽略导通压降
      - 恒压降模型考虑导通压降
- 二极管电路分析
  - 理想模型
    - 输入电压直接加在电阻上
    - 输出电压等于VDD
    - 输出电流计算公式
      - 输出电压除以电阻阻值
  - 导通压降模型
    - 考虑二极管导通压降
    - 导通压降为0.7V
    - 输出电压计算公式
      - VDD减去导通压降
    - 输出电流计算公式
      - 输出电压除以电阻阻值
  - 具体案例分析
    - VDD为2V时
      - 理想模型输出电压为2V
      - 导通压降模型输出电压为1.3V
    - VDD为10V时
      - 理想模型输出电压为10V
      - 导通压降模型输出电压为9.3V
      - 输出电流为5毫安
  - 二极管工作状态
    - 正偏状态
      - 正向电流由多子扩散运动形成
      - 处于导通状态
    - 反偏状态
      - 反向电流由少子漂移运动形成
      - 处于截止状态
    - 反向击穿
      - 超过反向击穿电压
      - 单向导电性被破坏